原子力显微镜技术在二维材料检测中研究进展

      以SiC（碳化硅），GaN（氮化镓）等为代表的第三代半导体材料，由于其在大功率、高频和高温环境应用中优异的性能，引起了人们极大的关注，已成为目前研究和应用的热点。随着材料工艺和器件研究水平的不断进步，针对材料微观性质的提取和机理分析，以及对器件的电学结构、热分布等重要特性的显微表征，成为提升材料和器件最终性能的关键。原子力显微镜 (AFM) 由于其具备的高空间分辨率成像、以及可提供包括形貌、电学、力学和热学等多方面综合信息的能力，成为了研究宽禁带半导体材料和器件结构的有力工具。

     本次网络研讨会将邀请行业内专家一起共同探讨原子力显微镜技术在二维材料检测中研究进展，希望能够对分析工作者带来帮助和启发。

宽禁带半导体材料工艺和器件失效分析中的AFM应用

       以SiC，GaN等为代表的第三代半导体材料，由于其在大功率、高频和高温环境应用中优异的性能，引起了人们极大的关注，已成为目前研究和应用的热点。随着材料工艺和器件研究水平的不断进步，针对材料微观性质的提取和机理分析，以及对器件的电学结构、热分布等重要特性的显微表征，成为提升材料和器件最终性能的关键。原子力显微镜 (AFM) 由于其具备的高空间分辨率成像、以及可提供包括形貌、电学、力学和热学等多方面综合信息的能力，成为了研究宽禁带半导体材料和器件结构的有力工具。

    本次报告针对近年来宽禁带半导体材料表征的一系列新需求，包括在材料生长、衬底抛光等工艺中的纳米尺度形态分析；材料中位错的形成及其对电学性能的影响机制；表面和界面缺陷的类型和其对电性能的影响；氧化层的击穿特性和击穿机制；新型器件结构中的特殊物理效应的揭示和应用等，结合实际案例总结了AFM在这类材料检测和研究中的应用进展。在此基础上，讨论了AFM相关的电学、热学技术在器件失效分析中的应用。

扫描探针显微镜在铁电二维材料中的纳米表征应用

      随着单层石墨烯的成功制备，二维材料的研究成为了新世纪的研究热点。以石墨烯为代表的同素异构体二维材料、过渡金属硫族化合物（TMDs）等化合物二维材料由于其独特的力学、电学和光学等性质，从而在柔电和光电材料领域具有巨大的应用潜力。令人叹为观止的是这些单层二维材料通过简单叠加组成的异质结构表现出了更加丰富的独特性能，并催生了大量新型应用，尤其是压电性和铁电性。压电、铁电材料由于其得天独厚的力电耦合性能被广泛应用于传感器、换能器、存储器和执行器中。介于其极高的空间分辨率和灵敏度以及丰富的扩展功能和测量模块，原子力显微镜极大地助推了二维材料的研究进程。本次网络研讨会，我们将结合布鲁克原子力显微镜的技术优势和特点，详细介绍原子力显微镜在二维材料铁电性研究领域的应用。