08月18日 10:00 ~ 10:00倒计时:8天

会议简介

      以SiC,GaN等为代表的第三代半导体材料,由于其在大功率、高频和高温环境应用中优异的性能,引起了人们极大的关注,已成为目前研究和应用的热点。随着材料工艺和器件研究水平的不断进步,针对材料微观性质的提取和机理分析,以及对器件的电学结构、热分布等重要特性的显微表征,成为提升材料和器件最终性能的关键。原子力显微镜 (AFM) 由于其具备的高空间分辨率成像、以及可提供包括形貌、电学、力学和热学等多方面综合信息的能力,成为了研究宽禁带半导体材料和器件结构的有力工具。

     本次网络研讨会将邀请行业内专家一起共同探讨原子力显微镜技术在二维材料检测中研究进展,希望能够对分析工作者带来帮助和启发。


会议日程

08月16日
时间 演讲题目 单位名称 主讲人 职位
10:00-10:30 宽禁带半导体材料工艺和器件失效分析中的AFM应用 布鲁克 殷豪 应用科学家
10:30-11:00 扫描探针显微镜在铁电二维材料中的纳米表征应用 布鲁克 刘阳 应用科学家

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